L'AOS est un préamplificateur à bobine mobile dédié, sans compromis et entièrement réglable, dont la conception du circuit s'inspire largement de l'Aura de Rega, le préampli phono MC de référence primé. Logé dans un coffret Rega demi-largeur fabriqué sur mesure, l'AOS apportera une définition exceptionnelle et un réalisme accru à tous vos enregistrements, donnant vie à votre vinyle préféré.
Conçu pour fonctionner avec un large éventail de cellules à bobine mobile, il dispose d'un gain généreux pour les MC à faible niveau de sortie et d'une excellente réglabilité de la charge, ce qui en fait le partenaire idéal quelle que soit la bobine mobile que vous utilisez.
Analogique pur — L'AOS est un « amplificateur entièrement analogique » à deux étages, dépourvu de tout circuit de commande numérique. Le coffret entièrement en aluminium protège le circuit interne de tout signal RFI parasite. Les concepteurs de Rega ont évité d'inclure le moindre composant ou circuit superflu susceptible de dégrader le chemin du signal. L'AOS intègre de nombreuses idées de conception innovantes, dont un asservissement autorégulé qui compense toute variation de la température ambiante ou de fonctionnement.
L'AOS met en œuvre des FET (transistors à effet de champ) à faible bruit connectés en parallèle et configurés en paire composée. L'emploi de transistors FET garantit qu'aucun courant de polarisation ne circule dans la bobine de la cellule, afin de ne pas perturber la délicate géométrie magnétique de celle-ci. L'entrée MC permet de sélectionner une charge d'entrée résistive de 70 Ω à 400 Ω et une charge capacitive de 1000 pF à 4300 pF. La sensibilité d'entrée peut être modifiée de 6 dB depuis le panneau arrière. Une fonction de veille automatique a également été ajoutée, qui met l'appareil en sommeil après une période sans signal. Elle peut être désactivée au moyen de micro-interrupteurs situés sur le panneau arrière.
Premier étage : Le premier étage est un amplificateur de classe A symétrique et complémentaire, utilisant des transistors FET (transistors à effet de champ) à très faible bruit de Linear Systems. L'emploi de transistors FET garantit qu'aucun courant de polarisation ne circule dans la bobine de la cellule, afin de ne pas perturber la délicate géométrie magnétique de celle-ci. La configuration du circuit d'entrée dispense en outre de tout composant de liaison entre la sortie de la cellule et les transistors FET de l'étage d'entrée, lesquels dégraderaient le son. Les transistors FET complémentaires à très faible bruit sont soigneusement calibrés et appairés pour des performances optimales.
Cet étage attaque la partie passive haute fréquence de l'étage de correction RIAA.
Deuxième étage : Le deuxième étage est un amplificateur différentiel de classe A symétrique doté d'un étage driver en base commune ; il sert également d'amplificateur actif dans la partie basse fréquence de l'étage de correction RIAA.
